Les différentes techniques de croissance disponibles au C2N sont :
- la MBE (molecular beam epitaxy) de III-V
- la MOVPE (metalorganic vapor phase epitaxy) de systèmes III-V et SiGeSn
- la UHV-CVD (ultra-high vacuum chemical vapor deposition) du système SiGe
- la CBE (chemical beam epitaxy) de III-V et d'alliages SiGe
- la PLIE (pulsed laser induced epitaxy) et le GILD (gas immersion laser doping) pour le Si supraconducteur
- la PLD (pulsed laser deposition) et la MBE hybride pour l'élaboration d'oxydes fonctionnels
- la CVD/PECVD AIXTRON (chemical vapour deposition) de graphène
Grégoire BEAUDOIN
Tel : (+33) 1 70 27 04 64
gregoire.beaudoin@c2n.upsaclay.fr
Antonella CAVANNA
Tel : (+33) 1 70 27 04 59
antonella.cavanna@c2n.upsaclay.fr
Sylvain EIMER
Tel : (+33) 1 70 27 03 94
sylvain.eimer@c2n.upsaclay.fr
Géraldine HALLAIS
Tel : (+33) 1 70 27 03 49
geraldine.hallais@c2n.upsaclay.fr
Ali MADOURI
Tel : (+33) 1 70 27 04 57
ali.madouri@c2n.upsaclay.fr
Martina MORASSI
Tel : (+33) 1 70 27 04 67
martina.morassi@c2n.upsaclay.fr
Laurent TRAVERS
Tel : (+33) 1 70 27 04 65
laurent.travers@c2n.upsaclay.fr
Davide CAMMILLERI
Tel : (+33) 1 70 27 03 00
Cette "PlatefOrme Élaboration des Matériaux" fait partie du Département Matériaux
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